總建筑面積超34000平方米 蘇州納維科技研發和生產總部大樓封頂
蘇州納維科技研發和生產總部大樓封頂。
據悉，該項目于 2021 年 1 月 27 日奠基，項目占地面積超 14000 平方米，總建筑面積超 34000 平方米，將建設成為國際前三的氮化鎵(GaN)單晶襯底研發基地與高端產品生產基地，預計年產氮化鎵單晶襯底及外延片 5 萬片。
據蘇州納維科技官網，該公司成立于 2007 年，專注于高質量氮化鎵半導體單晶材料的生長，已實現 2 英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了 4 英寸產品的工程化技術開發、突破了 6 英寸的關鍵技術。
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來源：愛集微 -
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